30F131 TO-263-2 біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) для плазмових панелей

30F131 TO-263-2 — біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT) для плазмових панелей

Лот із 1 штук 30F131 у корпусі TO-263-2 представляє собою високоефективний біполярний транзистор з ізольованим затвором (IGBT), призначений для використання в плазмових панелях, інверторах та інших високовольтних електронних схемах. Цей чип забезпечує високу продуктивність при роботі з великими струмами, дозволяючи стабільно управляти навантаженням.

Максимальна напруга колектор-еміттер 300 В і максимальний струм 200 А роблять 30F131 надійним компонентом для потужних електронних систем. Напруга насичення при номінальному струмі становить 1.9 В, а розсіювана потужність до 140 Вт, що дозволяє використовувати транзистор у схемах з високою інтенсивністю роботи без перегріву та нестабільності.

Корпус TO-263-2 забезпечує зручний монтаж на друковані плати та ефективне відведення тепла за допомогою радіаторів або тепловідводів. Транзистор 30F131 використовується в промислових і побутових застосуваннях, де потрібне точне управління високими струмами і напругою. Простота інтеграції та висока надійність роблять цей компонент незамінним для інженерів і майстрів сервісних центрів, які займаються ремонтом та виготовленням плазмових панелей та інших високовольтних пристроїв.

Характеристики:
• Модель: 30F131
• Корпус: TO-263-2
• Максимальна напруга колектор-еміттер: 300 В
• Максимальний струм колектор-еміттер: 200 А
• Напруга насичення при номінальному струмі: 1.9 В
• Потужність: 140 Вт
• Тип: IGBT (біполярний транзистор з ізольованим затвором)